7.4.4.58 Pset_ProtectiveDeviceTrippingUnitTypeElectroMagnetic

PSET_TYPEDRIVENOVERRIDE / IfcProtectiveDeviceTrippingUnit / ELECTROMAGNETIC

Natural language names
Protective Device Tripping Unit Type Electro Magnetic
Properties

buildingSMART Data Dictionary

PSD-XML

NameTypeDescription
ElectroMagneticTrippingUnitType P_ENUMERATEDVALUE / IfcLabel / PEnum_ElectroMagneticTrippingUnitType
Electro Magnetic Tripping Unit TypeA list of the available types of electric magnetic tripping unit from which that required may be selected. These cover overload, none special, short circuit, motor protection and bi-metal tripping.
電磁トリップ装置タイプ電磁トリップ装置タイプを選択する。(過電流・配線用・モーター・バイメタル・その他)
I1 P_SINGLEVALUE / IfcReal
I1The (thermal) lower testing current limit in [x In], indicating that for currents lower than I1, the tripping time shall be longer than the associated tripping time, T2.
I1熱動式の低試験電流限界値を [x In]、電流は I1 よりも低い値を示す。トリップ時間は関連する T2 の時間よりも長い。
I2 P_SINGLEVALUE / IfcReal
I2The (thermal) upper testing current limit in [x In], indicating that for currents larger than I2, the tripping time shall be shorter than the associated tripping time, T2.
I2熱動式の高試験電流限界値を [x In], 電流は I2 よりも高い値を示す。トリップ時間は関連する T2 の時間よりも短い。
T2 P_SINGLEVALUE / IfcTimeMeasure
T2The (thermal) testing time in [s] associated with the testing currents I1 and I2.
T2熱動式の試験時間を [s] , 関連する試験電流を I1 と I2 とする。
DefinedTemperature P_SINGLEVALUE / IfcThermodynamicTemperatureMeasure
Defined TemperatureThe ambient temperature at which the thermal current/time-curve associated with this protection device is defined.
設定温度この保護装置が定める温度・電流/時間-カーブに関連する周囲温度。
TemperatureFactor P_SINGLEVALUE / IfcRatioMeasure
Temperature FactorThe correction factor (typically measured as %/deg K) for adjusting the thermal current/time to an ambient temperature different from the value given by the defined temperature.
温度係数熱の電流/時間を、定義済みの温度によって与えられる値と異なる場合に周囲温度に合わせるための補正係数(%/deg K で計測する)。
I4 P_SINGLEVALUE / IfcReal
I4The lower electromagnetic testing current limit in [x In], indicating that for currents lower than I4, the tripping time shall be longer than the associated tripping time, T5, i.e. the device shall not trip instantaneous.
I4電磁の低試験電流限界値を [x In], 電流は I4 よりも低い値を示す。トリップ時間は関連する T5 と瞬時に遮断する定格使用電流の時間よりも長い。
I5 P_SINGLEVALUE / IfcReal
I5The upper electromagnetic testing current limit in [x In], indicating that for currents larger than I5, the tripping time shall be shorter than or equal to the associated tripping time, T5, i.e. the device shall trip instantaneous.
I5電磁の高試験電流限界値を [x In], 電流は I4 よりも低い値を示す。トリップ時間は関連する T5 と瞬時に遮断する定格使用電流の時間よりも長い。
T5 P_SINGLEVALUE / IfcTimeMeasure
T5The electromagnetic testing time in [s] associated with the testing currents I4 and I5, i.e. electromagnetic tripping time
T5電磁の試験時間を [s] , 関連する試験電流を I4 と I5 とする。
CurveDesignation P_SINGLEVALUE / IfcLabel
Curve DesignationThe designation of the trippingcurve given by the manufacturer. For a MCB the designation should be in accordance with the designations given in IEC 60898.
曲線指定メーカーが提供する指定のトリッピングカーブ。MCBのために、指定はIEC 60898に準拠しなければならない。

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